FQP13N06L
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Anschlüsse, Verbindungen
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onsemi FQP13N06L
| Artikelnummer: | FQP13N06L |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 13.6A TO220-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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-
onsemi FQP13N06L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQP13N06L.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 6.8A, 10V Verlustleistung (max) 45W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 5 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13.6A (Tc) Grundproduktnummer FQP13 FQP13N06L Einzelheiten PDF [English] FQP13N06L PDF - EN.pdf -
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